Om någon frågade oss vad det jobbigaste problemet är med telefoner nuförtiden så hade vi sagt livstiden på batterierna. Efter ett ny bekräftelse har många fått nya förhoppningar att en av de mest långvarande problemen med dagens smarttelefoner kan vara på väg att försvinna.
Om du är orolig för ditt telefonbatteri och måste ladda om det upprepade gånger så har vi goda nyheter för dig. IBM och Samsung har påstått att deras nya chipdesign är revolutionerande. De har tillkännagett sitt senaste framsteg inom halvledardesign: ett nytt sätt att stapla transistorer vertikalt på ett chip (istället för att ligga plant på halvledarytan).
Teknikjättarna IBM och Samsung sa att deras nya Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) designchip är kompatibelt med den nuvarande FinFET-tekniken. Denna teknik används av de mest avancerade chippen. Detta chip är tätt packat med en transistor. Eftersom det är kapabelt att stapla transistorer vertikalt. Istället för den horisontella layouten från sida till sida låter den strömmen flyta upp och ner. För närvarande har den horisontella layouten från sida till sida använts för de flesta marker.
Vertikal design för halvledare är den nuvarande trenden inom teknikindustrin. Eftersom många stora teknikföretag inklusive Intel utformar sin framtida färdplan i denna riktning. I detta inledande skede försöker varje teknikföretag fokusera på att stapla chipkomponenter.
Tidigare i år har IBM visat en annan väg mot att fylla på fler transistorer. De försöker skala upp mängden så att de kan passa den med den befintliga FinFET-designen. Intels gate-all-around-transistor äger också FinFET-produktionsteknologin. Det är en del av Intel 20A-generationen av halvledarprodukter som är planerad att starta produktion 2024.
För tillfället finns det ingen demonstration som tydligare visar hur tekniken kommer att förändra framtidens elektroniska enheter. Varken IBM eller Samsung har delat med sig mer information om denna teknologi. Teknikexperter över hela världen väntar med spänning för att lära sig mer.